晶合集成取得晶體管測(cè)試方法

晶體管測(cè)試儀該晶體管測(cè)試方法包括：向待測(cè)晶體管的柵極施加工作電壓，將待測(cè)晶體管的源極接地，根據(jù)施加于待測(cè)晶體管漏極的第一測(cè)試電壓與第一測(cè)試電壓作用下的第一測(cè)試電流的變化關(guān)系，得到第一電流?電壓特性曲線；繼續(xù)向柵極施加工作電壓，將漏極接地，根據(jù)施加于源極的第二測(cè)試電壓與第二測(cè)試電壓作用下的第二測(cè)試電流的變化關(guān)系

發(fā)布時(shí)間：

2024-11-06

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晶體管測(cè)試儀

^{晶體管測(cè)試儀該晶體管測(cè)試方法包括：向待測(cè)晶體管的柵極施加工作電壓，將待測(cè)晶體管的源極接地，根據(jù)施加于待測(cè)晶體管漏極的第一測(cè)試電壓與第一測(cè)試電壓作用下的第一測(cè)試電流的變化關(guān)系，得到第一電流?電壓特性曲線；繼續(xù)向柵極施加工作電壓，將漏極接地，根據(jù)施加于源極的第二測(cè)試電壓與第二測(cè)試電壓作用下的第二測(cè)試電流的變化關(guān)系，得到第二電流?電壓特性曲線；將第一電流?電壓特性曲線和第二電流?電壓特性曲線進(jìn)行對(duì)比得到差異度，當(dāng)差異度超出預(yù)設(shè)閾值時(shí)，判定待測(cè)晶體管存在異常。該晶體管測(cè)試方法能夠全面地對(duì)待測(cè)晶體管是否存在缺陷進(jìn)行檢測(cè)，防止含缺陷晶體管的芯片流出，以提升產(chǎn)品良率。}

晶體管測(cè)試儀