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熱門關(guān)鍵詞:晶體管測試儀 晶體管圖示儀 碳化硅器件測試儀 SiC器件測試儀 雙脈沖測試儀 電壓耐量測試設(shè)備 門極絕緣柵單元觸發(fā)器實驗儀

帶你全面了解功率開關(guān)器件雙脈沖測試
雙脈沖測試儀雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的主要參數(shù),更好的評估器件性能,優(yōu)化驅(qū)動設(shè)計等等。 雖然功率半導(dǎo)體器件的手冊上會有參數(shù)標(biāo)注,但這些參數(shù)都是在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下得到的。使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師如果不加以測試,而直接在標(biāo)定的工況下跑看能否達(dá)到設(shè)計的功率,無法全面了解器件性能,進(jìn)而影響產(chǎn)品長期可靠性。又或者設(shè)計裕量過大帶來成本增加,使得產(chǎn)品的市場競爭力下降。
發(fā)布時間:
2025-03-22
來源:
雙脈沖測試儀
雙脈沖測試儀雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的主要參數(shù),更好的評估器件性能,優(yōu)化驅(qū)動設(shè)計等等。 雖然功率半導(dǎo)體器件的手冊上會有參數(shù)標(biāo)注,但這些參數(shù)都是在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下得到的。使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師如果不加以測試,而直接在標(biāo)定的工況下跑看能否達(dá)到設(shè)計的功率,無法全面了解器件性能,進(jìn)而影響產(chǎn)品長期可靠性。又或者設(shè)計裕量過大帶來成本增加,使得產(chǎn)品的市場競爭力下降。 如果能在設(shè)計研發(fā)階段,精準(zhǔn)地了解器件的開關(guān)性能,將對整個產(chǎn)品的優(yōu)化帶來極大的好處。比如能在不同的電壓、電流和溫度下獲得開關(guān)損耗,給系統(tǒng)仿真提供可靠的數(shù)據(jù);又比如可以通過觀察波形振蕩情況來選擇合適的門極電阻。 ITECH作為功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商,為雙脈沖測試提供多種先進(jìn)電源產(chǎn)品。 ? 雙脈沖測試平臺 測試設(shè)備 1.高壓電源:IT6700H/IT6018C-1500-40/IT-M3906C-1500-122.電容組3.負(fù)載電感4.示波器5.高壓差分電壓探頭(1000:1)6.電流探頭7可編程信號發(fā)生器或IT2806高精密源測量單元/源表/SMU
雙脈沖測試流程: STEP 1 在t0時刻,被測IGBT的門極接收到第一個脈沖,被測IGBT導(dǎo)通,母線電壓U加在負(fù)載電感L上,電感上的電流線性上升,I=U*t/L; IGBT關(guān)斷前的t1時刻,電感電流的數(shù)值由U和L決定;在U和L都確定時,電流的數(shù)值由IGBT開啟的脈寬T1決定,開啟時間越長,電流越大; 執(zhí)行點:通過改變脈沖寬度的大小,自主設(shè)定電流的數(shù)值。
STEP 2 t1到t2之間,IGBT關(guān)斷,此時負(fù)載的電流L的電流由上管二極管續(xù)流,該電流緩慢衰減; t1時刻,IGBT關(guān)斷,因為母線雜散電感Ls的存在,會產(chǎn)生一定的電壓尖峰; 關(guān)注點:在該時刻,重點是觀察IGBT的關(guān)斷過程,電壓尖峰是重要的監(jiān)控對象。
STEP 3 在t2時刻,被測IGBT 再次導(dǎo)通,續(xù)流二極管進(jìn)入反向恢復(fù)狀態(tài),反向恢復(fù)電流會穿過IGBT,此時電流探頭所測得的Ic為FRD反向電流與電感電流疊加,產(chǎn)生電流尖峰; 重點觀察:IGBT的開通過程,電流峰值是重要的監(jiān)控對象,同時應(yīng)注意觀察柵極波形是否存在震蕩現(xiàn)象。
雙脈沖測試儀,功率,開關(guān)器件
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